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展會邀請丨九月,深圳光博會見

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【摘要】:
第22屆中國國際光電博覽會
深圳國際會展中心(寶安新館)
2020年9月9日-11日
長光華芯展位:2B68

邀請函

 

第22屆中國國際光電博覽會

深圳國際會展中心(寶安新館)

2020年9月9日-11日

長光華芯展位:2B68

 

   深圳光博會(CIOE)深耕行業22載,集聚光電產業優勢資源,六展覆蓋信息通信、數據中心、激光、紅外、精密光學、鏡頭及模組、機器視覺、光電傳感等版塊,是行業人士尋找新技術新產品、了解市場先機的一站式商貿、技術及交流平臺。

 

本次展會長光華芯將為您全方位展示:

 

VCSEL激光雷達芯片

高功率激光芯片

光纖激光器泵浦源

固體激光器泵浦源

科研應用產品

陣列

直接半導體激光器

 

涵蓋半導體激光器上、中、下游產業鏈

2號館2B68展位,

期待您的蒞臨!

 

展期論壇:

激光論壇:激光技術在3C行業的創新應用

報告人:余磊  區域銷售經理

報告主題:直接半導體激光器在3C方面的應用

時間:2020年9月10日

地點:深圳國際會展中心2號館二樓2C

 

展品一覽:

VCSEL激光雷達芯片

        長光華芯擁有完整VCSEL 6寸線工藝平臺和量產產線,包含芯片設計、外延生長、臺面刻蝕、氧化工藝、電鍍金、性能測試等,長光華芯憑借在MOVCD 外延技術、氧化孔徑精確控制和外延流片工藝等方面的深厚積累,VCSEL芯片的設計、外延和流片完全自主可控。

        公司目前可提供均勻列陣(適用于TOF方案)、隨機陣列(適用于結構光方案)和單點類(適用于距離傳感器)三大系列產品,研發的單點類VCSEL芯片光電轉換效率高達50%@50℃,斜率效率高達1.1W/A,TOF及SL陣列光電轉換效率高達45%@50℃,斜率效率高達1.0W/A,2019年底已實現10kk/月的產能。

*芯片波長、功率、尺寸和孔徑等指標可定制

 

高功率激光芯片

        做為長光華芯的拳頭產品之一,9XXnm 15W單管芯片經過多年工業市場的檢驗,已經獲得了市場的廣泛信任和認可。在保證芯片穩定量產交付的過程,長光華芯沒有停下探索腳步,通過外延結構、腔面保護、芯片設計等關鍵技術和工藝的持續改進,經過不同生產時段不同批次的芯片驗證,長光華芯自主開發的高功率高亮度半導體激光器芯片性能已達到30W水平,長光華芯最新產品——25W芯片已進入市場,也將在本次展會亮相。

 

360W 976nm 200um M系列光纖耦合模塊

        長光華芯360W 200μm 976nm 0.16NA泵源新品,在以往基礎上提高功率,更大程度降低模塊的單瓦成本。該模塊采用長光華芯自主高可靠性976nm芯片,輸出功率360W,0.16NA實際數值孔徑(95%能量),可實現±0.5nm波長鎖定,光纖耦合模塊電光效率達50%(直接測量)或52%(光纖內)。

        經多家領先的第三方光纖激光器公司驗證,采用長光華芯976nm泵浦源的光纖激光器光光轉換效率可達85%,同時節省有源光纖,使光纖激光器單瓦成本更低,是工業用高功率光纖激光器和飛秒光纖激光器的理想泵浦源。

 

250W/350W 百瓦級直接半導體激光器

         長光華芯直接半導體激光系統采用長光華芯自主研發生產的高功率半導體激光芯片及光纖耦合模塊制成,本次展會長光華芯百瓦級系列全新推出250W/350W產品,精準定位塑料焊、金屬釬焊等精密焊接,填補國內該功率段激光器空白。集成控制系統實現人機交互、高效控制,具有高電光轉換效率,易操作,易維護等特點。

 

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