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100W 808nm高功率巴條芯片

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產品名稱

100W 808nm高功率巴條芯片

高功率半導體激光器巴條芯片,輸出功率從60W到300W不等,具有長壽命、高效的特點,廣泛應用于高功率固體激光器泵浦源、醫療及科研等領域。
編號
重量
0.00
零售價
0.00
市場價
¥0.00
數量
-
+
庫存
沒有此類產品
性能參數
產品參數
結構尺寸
相關應用
波長
808
波長
808nm
功率
100W

 

巴條芯片 BB 規格型號1 EB-BB-100-049-0808-10
參數 單位 Min Type Max
光學性能2        
中心波長 nm   808  
中心波長偏差 nm ±10
輸出功率5 W 100    
快軸發散角(半高全寬)4 Deg   65 75
慢軸發散角(半高全寬) Deg   8.5 10
光譜寬度 (FWHM) nm   3 4
偏振模式 TM/TE TE
波長溫度系數 nm/℃   0.28  
電學性能2
光電轉換效率 %   55  
斜率效率 W/A   1.25  
閾值電流 A   15  
工作電流 A   105 110
工作電壓 V   1.8  
尺寸規格
發光點數量

#

  49  
發光點條寬 μm   100  
發光點周期 μm   200  
巴條填充因子 %   50  
巴條腔長 mm   1.5  
巴條高度 μm 135 145 155
巴條長度 mm 9.98 10 10.02
熱學性能
工作溫度3   25  
存儲溫度3 -40~80 
備注
1. 規格型號命名規則: EB (長光華芯縮寫)- BB (Bare Bar 縮寫)–100 (連續輸出功率 100W) -049( 發光點數量是49個)- 0808 (中心波長是808nm)- 10(中心波長偏差是±10nm)
2. 以上測試溫度為25度
3. 避免在結露環境下存儲和使用,超過規定溫度工作會影響壽命
4. 快軸準直后發散角≤0.5o
5. 超過正常功率范圍使用會縮短使用壽命。
版本號:BB03-202010B-R01

 

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